🔒Открыть пост
и посмотреть медиа
и посмотреть медиа
Samsung Electronics представила на отраслевой конференции Semicon Taiwan 2026 план разработки и выпуска новых высокоскоростных решений памяти, сосредоточив внимание на трёх продуктах: HBM5, zHBM и zNAND‑O. HBM5 позиционируется как следующее поколение высокоплотной памяти с пропускной способностью выше 1 ТБ/с на стек, улучшенной энергоэффективностью и поддержкой более широких интерфейсов, что позволит ускорить работу ИИ‑ускорителей, графических процессоров и серверных систем. Технология zHBM представляет собой гибридный вариант, объединяющий преимущества традиционной HBM и новых 3‑D‑стековых решений, обещая ещё более низкую задержку и более гибкую масштабируемость для специализированных вычислительных нагрузок. zNAND‑O — оптимизированный вариант NAND‑флеш, построенный на архитектуре с открытой ячейкой, предназначенный для увеличения плотности хранения и снижения энергопотребления в облачных дата‑центрах и устройствах с большими объёмами данных. Объявление имеет значение для отрасли, поскольку ускоренный ввод в массовое производство этих технологий может повысить общую производительность вычислительных платформ, сократить время обучения моделей искусственного интеллекта и снизить затраты на инфраструктуру обработки больших объёмов информации.
#ИИ #технологии #AI
🔗 Источник
⚠️ Отдельные организации, упомянутые в данном материале, могут иметь статус «нежелательных» на территории РФ. Актуальный перечень размещён на официальном сайте Минюста РФ: minjust.gov.ru